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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S16150HSR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S16150HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S16150HSR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF7S16150HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF7S16150HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF7S16150HSR3的射频MOSFET器件由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频功率放大领域。该器件工作频率范围覆盖1.8 GHz至2.7 GHz,适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、Wi-Fi 6E、5G通信系统中的射频功率放大器设计。其高效率和线性输出特性使其适用于需要高数据传输速率和稳定性的现代通信标准。此外,该器件也适用于工业和医疗射频设备,如射频加热、等离子体生成和无线测试设备中的功率放大环节。MRF7S16150HSR3采用高热效率封装,支持高功率输出和长期稳定性,适合需要高可靠性和高能效的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S16150HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 1.6GHz |
| 额定电流 | 10µA |