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- 型号： MRF6VP41KHSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP41KHSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP41KHSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP41KHSR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET），专为高功率、高频率通信系统设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：广泛用于 4G LTE 及 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 1.8–2.2 GHz 频段（如 B1/B3/B7/B38/B40/B41），可单管输出高达 1 kW 峰值功率（脉冲模式），连续波（CW）输出达 400 W，具备高增益（>19 dB）和高效率（>65%）。 - 广播与无线基础设施：适用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）电视/电台发射机、分布式天线系统（DAS）及小型蜂窝（Small Cell）回传链路中的高线性度功放模块。 - 工业与科研射频源：在等离子体发生器、MRI 射频激励源、粒子加速器驱动器等需稳定大功率射频激励的场景中，凭借其高可靠性、优异热稳定性（采用陶瓷封装+铜钼底座）及内置ESD保护，胜任严苛工况。 该器件采用 TO-272-2W（SR6）封装，支持风冷或液冷散热，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现宽带宽、低失真（ACLR/ACPR优异）和长寿命运行，是现代高功率射频功率放大领域的主流选择之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP41KHSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 5mA |
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