【未分类_MRF6V12250HSR3】封装/厂家_MRF6V12250HSR3中文资料_价格

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型号： MRF6V12250HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V12250HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V12250HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V12250HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V12250HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V12250HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6V12250HSR3是一款射频功率晶体管，属于FET（场效应晶体管）/MOSFET类别。其主要应用场景集中在高功率射频放大器领域，广泛应用于无线通信、广播和工业科学医疗（ISM）等领域。以下是该型号的主要应用场景：

1. 无线通信基础设施：  
   MRF6V12250HSR3适用于基站中的射频功率放大器，特别是在蜂窝网络（如4G LTE和5G NR）中提供高效率和高线性度的信号放大。它能够支持多载波功率放大（MCPA）应用，满足现代通信系统对带宽和效率的要求。

2. 广播电视：  
   该晶体管可用于电视和调频广播发射机中的射频功率放大器。其高功率处理能力和稳定性使其成为广播行业的重要组件，确保信号覆盖范围广且质量稳定。

3. 航空航天与国防：  
   在雷达系统、卫星通信和其他国防相关设备中，MRF6V12250HSR3可以作为关键的射频功率放大器元件。其高可靠性和耐久性使其适合严苛环境下的应用。

4. 工业科学医疗（ISM）：  
   该晶体管可用于ISM频段内的各种应用，例如工业加热、等离子体生成、医疗设备（如磁共振成像MRI）中的射频功率供应等。其高效能和高可靠性是这些应用的核心需求。

5. 测试与测量设备：  
   在射频测试仪器中，MRF6V12250HSR3可用作信号源或功率放大器的一部分，为测试环境提供稳定的高功率输出。

总结来说，MRF6V12250HSR3凭借其卓越的射频性能、高功率处理能力和可靠性，成为多种高要求应用的理想选择。无论是通信、广播还是国防领域，这款晶体管都能提供出色的性能表现。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V12250HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	275W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20.3dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	100mA
频率	1.03GHz
额定电流	10µA