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- 型号： MRF6S9160HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9160HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9160HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9160HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9160HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9160HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9160HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率为900–1000 MHz（支持GSM、CDMA、WCDMA及LTE FDD/TDD等900 MHz频段），额定输出功率达160 W（连续波），适用于基站发射链路中的末级功率放大器（PA）。 主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（BBU+RRU架构）的射频功放模块，尤其适配900 MHz频段的2G/3G/4G网络； - 无线基础设施设备：如直放站、室内分布系统（IBS）、小型基站（Small Cell）的高线性度功率放大单元； - 广播与专业通信：兼容部分宽带无线接入（WiMAX）及数字地面电视（DTMB）发射系统中对效率与热稳定性要求严苛的场景。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），集成源极键合焊盘与优化热设计，支持风冷或液冷散热，具备优异的增益（≥17 dB）、功率附加效率（PAE ≥ 65% @ 945 MHz）及长期运行鲁棒性。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR耐受、过温关断）使用，常搭配NXP推荐驱动芯片（如MMRF1022）构成完整射频功放方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9160HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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