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- 型号： MRF6S9130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9130HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900 MHz 频段设计，典型工作频率为 869–960 MHz（如 GSM、EDGE、WCDMA 基站应用）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和中继站的末级功放，支持高效率（典型漏极效率 >65% @ 945 MHz）、高线性度和高输出功率（连续波下可达 130 W，脉冲/平均功率适配多载波 LTE/5G NR 场景）。 - 无线基础设施设备：适用于 2G/3G/4G 多模基站、分布式天线系统（DAS）及小型基站（Small Cell）中的射频功率放大模块。 - 工业与广播类射频源：在医疗射频消融设备、等离子体发生器、ISM 频段（如 915 MHz）工业加热系统中，作为高可靠性、高增益（典型增益 >17 dB @ 945 MHz）的射频功率器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与高可靠性，支持高电压（VDD = 28 V）、高功率密度设计，并兼容主流宽带匹配电路。其 RoHS 合规且通过 AEC-Q200 可靠性认证，适用于严苛环境下的长期运行。需配合合适的偏置电路、输入/输出匹配网络及散热方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9130HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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