【未分类_MRF6S9125MBR1】封装/厂家_MRF6S9125MBR1中文资料_价格

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型号： MRF6S9125MBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9125MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9125MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9125MBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S9125MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9125MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF6S9125MBR1 的射频 MOSFET 晶体管，主要应用于高频、高功率射频放大器领域。以下是其典型应用场景：

 1. 无线通信基础设施
   - 该晶体管适用于基站发射机中的射频功率放大器（PA），特别是在 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 网络中。
   - 它能够提供高效率和高增益性能，满足现代通信系统对带宽和功率的需求。

 2. 广播设备
   - 在 AM/FM 广播系统中，用于驱动和最终功率放大阶段。
   - 其高功率处理能力和稳定性使其成为广播发射机的理想选择。

 3. 航空与国防
   - 用于雷达系统中的射频功率放大器，支持脉冲调制信号的高效传输。
   - 在军事通信设备中，提供可靠的高功率射频输出。

 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用
   - 在 ISM 频段中，用于加热、焊接、等离子体生成等应用中的射频能量传输。
   - 提供稳定的功率输出以确保设备的高效运行。

 5. 测试与测量设备
   - 用于信号发生器、频谱分析仪等设备中的射频功率放大模块。
   - 支持高精度和高动态范围的测试需求。

 技术特点：
- 频率范围：适用于高频应用（通常在几十 MHz 到几 GHz）。
- 高功率输出：能够在高负载条件下稳定工作。
- 高效率：减少能耗和散热需求。
- 可靠性强：适合长时间连续运行的应用环境。

总之，MRF6S9125MBR1 是一款专为高性能射频应用设计的 MOSFET 晶体管，广泛应用于需要高功率、高效率射频放大的场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9125MBR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272 WB-4
功率-输出	27W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20.2dB
封装/外壳	TO-272-4
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	950mA
频率	880MHz
额定电流	10µA