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- 型号： MRF6S9060MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9060MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9060MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9060MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9060MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9060MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9060MR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900 MHz 频段设计，典型工作频率范围为 869–960 MHz。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 GSM、GPRS、EDGE 及 LTE-FDD 的宏基站和微基站末级功放（PA），支持高输出功率（典型 60 W 连续波，峰值可达更高），具备优异的线性度与效率（典型漏极效率 >65%）。 - 无线通信基础设施：适用于中继站、直放站、分布式天线系统（DAS）等需高可靠性、宽温度范围（−40°C 至 +150°C）运行的场景。 - 工业/医疗射频源：如 RFID 读写器（UHF 频段）、等离子体发生器、MRI 射频激励模块等对稳定性和热性能要求严苛的应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优良散热能力与高可靠性，支持宽带匹配设计，并内置ESD保护，简化外围电路。需配合合适的栅极驱动、偏置电路及输出匹配网络使用，常与NXP配套驱动器（如MRF6P20100HR5）协同应用。 （注：品牌“-”应为笔误，实际制造商为 NXP Semiconductors。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9060MR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.4dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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