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- 型号： MRF6S27085HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S27085HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S27085HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S27085HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S27085HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S27085HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S27085HR3 是飞思卡尔（Freescale，现属NXP Semiconductors）推出的高性能射频LDMOS功率晶体管，专为2.7–2.9 GHz频段设计（典型用于2.7–2.8 GHz），适用于宽带无线通信系统。其主要应用场景包括： - 4G LTE基站功率放大器（PA）：作为宏基站或中继站末级功放，支持2.7–2.8 GHz LTE FDD/TDD频段，满足高线性度与高效率要求； - WiMAX基站发射链路：适用于2.5–2.7 GHz WiMAX系统，提供稳定输出功率（典型P1dB ≈ 85 W，Gp ≈ 15.5 dB）； - 小基站（Small Cell）及分布式天线系统（DAS）：在紧凑型射频单元中实现高增益、低失真放大； - 工业/科研射频源：如ISM频段邻近频点的信号发生、EMC测试激励源等中功率射频应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，支持连续波（CW）及OFDM调制信号（如LTE 20 MHz 4x4 MIMO），典型工作条件为VDD = 28 V，IDQ ≈ 1.2 A。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，广泛应用于通信基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S27085HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 190MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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