Datasheet下载- 型号： MRF6S23100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S23100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S23100HSR3的晶体管由品牌NXP USA Inc.生产，属于射频MOSFET类别。该器件主要应用于射频功率放大领域，适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机以及其他需要高效射频放大的系统。 此器件支持在900MHz至2500MHz频率范围内工作，具备高功率密度和优良的热稳定性，适合用于多载波通信系统和数字通信系统中的线性放大。典型应用场景包括4G LTE基站、WiMAX系统、DVB-T广播发射设备以及工业和商业射频能量应用。 其封装形式为高散热效率的表面贴装封装（HSR），便于集成到现代射频电路板设计中，同时支持高效率和高可靠性要求。此外，该器件能够在较宽的电压范围内工作，具备良好的抗失真能力和稳定性，适用于复杂电磁环境下的高性能射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S23100HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.4dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 2.3GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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