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- 型号： MRF6S21100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段（如W-CDMA、LTE FDD Band 1/UMTS Band I）基站应用优化。其典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中型基站的末级功放，支持高线性度与高效率（在2.14 GHz下典型P1dB达100 W，PAE约55%），满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）要求； 2. 无线基础设施设备：广泛用于多载波、宽带信号（如20 MHz LTE）的发射链路，支持数字预失真（DPD）技术以提升线性度； 3. 广播与专用通信系统：适配部分宽带射频激励器或中继站中的高增益、高可靠性放大模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与功率耐受能力（连续波输出功率达100 W，脉冲模式更高），支持+28 V或+32 V单电源供电，集成ESD保护，适合工业级温度范围（–40°C 至 +150°C）。需配合匹配网络、散热器及稳定偏置电路使用，常见于通信设备制造商（如爱立信、诺基亚供应商体系）的4G/5G演进型基站射频单元中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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