Datasheet下载- 型号： MRF6S21060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21060NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 的 2100 MHz 频段）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站及分布式基站（DAS）中的末级功放模块，支持多载波WCDMA和LTE信号（带宽达20 MHz），具备高增益（≥17 dB）、高效率（典型漏极效率约45%）和优异线性度（ACLR优于–37 dBc），满足严苛的通信标准。 - 无线基础设施设备：适用于中继器、直放站、小型蜂窝（Small Cell）及有源天线系统（AAS）中的射频发射链路。 - 工业与专用通信系统：如公共安全宽带网络（FirstNet）、专网LTE（TETRA/LTE-M）、固定无线接入（FWA）等需高可靠性、宽温度范围（–40°C 至 +150°C）运行的场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持风冷或液冷散热，配合匹配电路可实现稳定宽带输出（典型P1dB达60 W，饱和输出功率>100 W）。不适用于低频开关电源或通用逻辑控制等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S21060NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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