Datasheet下载- 型号： MRF6S21060NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21060NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21060NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如W-CDMA、LTE FDD Band 1/UMTS Band I）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝及微蜂窝无线通信基站的末级射频功率放大器（PA），支持多载波、高线性度要求的4G LTE和3G W-CDMA系统；适用于基站发射链路中需高输出功率（典型Pout = 60 W连续波，或更高平均功率）、高增益（>17 dB）与高效率（>35%漏极效率）的关键环节；亦可用于小基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）及有源天线单元（AAU）中的射频功放模块。该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），具备优异热稳定性与可靠性，支持宽带匹配设计，并兼容AB类线性工作模式，满足ACLR（邻道泄漏比）等严苛通信标准。不适用于低频开关电源、音频放大或消费类便携设备等非射频功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S21060NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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