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  • 型号: MRF6S21050LSR3
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LSR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LSR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6S21050LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6S21050LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为MRF6S21050LSR3的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.制造,主要应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站中的功率放大器设计,支持如GSM、CDMA、W-CDMA、LTE等多种通信标准。

MRF6S21050LSR3具备高功率增益和优良的线性性能,使其在高效、高线性度要求的发射系统中表现优异。它可在2GHz左右的频率范围内工作,适合用于多载波和宽带应用。此外,该器件采用高耐用性封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间高负荷运行的场景。

典型应用场景包括:移动通信基站(宏基站、微基站)、工业用射频加热设备、广播发射机以及测试测量设备中的射频功率放大模块。由于其出色的性能和稳定性,MRF6S21050LSR3被广泛用于需要高可靠性和高效率的射频系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MRF6S21050LSR3

PCN过时产品

http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-400S

功率-输出

11.5W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

16dB

封装/外壳

NI-400S

晶体管类型

LDMOS

标准包装

250

电压-测试

28V

电压-额定

68V

电流-测试

450mA

频率

2.16GHz

额定电流

10µA

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