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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LSR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LSR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6S21050LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6S21050LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S21050LSR3的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.制造,主要应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站中的功率放大器设计,支持如GSM、CDMA、W-CDMA、LTE等多种通信标准。 MRF6S21050LSR3具备高功率增益和优良的线性性能,使其在高效、高线性度要求的发射系统中表现优异。它可在2GHz左右的频率范围内工作,适合用于多载波和宽带应用。此外,该器件采用高耐用性封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间高负荷运行的场景。 典型应用场景包括:移动通信基站(宏基站、微基站)、工业用射频加热设备、广播发射机以及测试测量设备中的射频功率放大模块。由于其出色的性能和稳定性,MRF6S21050LSR3被广泛用于需要高可靠性和高效率的射频系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21050LSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S |
| 功率-输出 | 11.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |