【未分类_MRF6S19120HR5】封装/厂家_MRF6S19120HR5中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 未分类 > 其它 > MRF6S19120HR5

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF6S19120HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19120HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19120HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19120HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S19120HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19120HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S19120HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号原厂为 NXP Semiconductors，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌混淆或分销标识）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，典型工作频率为 1.9–2.0 GHz，额定输出功率达 120 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。

主要应用场景包括：  
✅ 4G LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站和中继站的末级功放（PA），支持 Band 1/2/25/39 等 1.9 GHz 频段，满足高增益（>17 dB）、高效率（典型 60% @ P1dB）及优异 ACLR 性能要求；  
✅ 小基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：在紧凑型射频单元中提供稳定大功率输出，配合预失真（DPD）技术实现高线性化；  
✅ 无线通信测试设备与宽带射频激励源：作为信号发生器或功率放大模块的核心器件，支持 10–100 MHz 瞬时带宽应用；  
✅ ISM 频段工业应用：如 1.9 GHz 医疗射频加热、等离子体发生器等需高可靠性连续波输出的场合。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优良热稳定性与ESD防护能力，支持+28 V 或 +32 V 单电源供电，适配主流射频功放电路设计规范。注意：使用时需严格遵循NXP原厂推荐的偏置条件、匹配网络及散热方案，以确保长期可靠性与性能一致性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S19120HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	19W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1A
频率	1.99GHz
额定电流	10µA