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  • 型号: MRF6S19100NR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100NR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100NR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6S19100NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6S19100NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S19100NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管,专为 1.9 GHz 频段(如 PCS/DCS/WCDMA/LTE 基站)设计。其典型应用场景包括:

- 蜂窝通信基站功率放大器(PA):主要用于宏基站和微基站的末级功放,支持 1850–1990 MHz 频段,适用于 4G LTE 和 3G WCDMA 系统,可提供高达 100 W 的平均输出功率(在 1960 MHz、28 V、20 MHz LTE 信号下),具备高增益(≥17 dB)与高效率(约 40% 漏极效率)。

- 无线基础设施设备:广泛用于分布式天线系统(DAS)、小基站(Small Cell)远端射频单元(RRU)及有源天线系统(AAS)中的宽带射频功放模块。

- 工业与广播应用:亦可用于医疗射频加热、等离子体发生器及窄带 FM 广播激励器等需稳定高功率射频输出的场景(需满足相应匹配与散热设计)。

该器件采用气腔陶瓷封装(NI-780),支持高可靠性连续波(CW)及调制信号工作,内置ESD保护,兼容50 Ω系统设计,常配合NXP推荐的匹配电路与驱动级(如MRF6P20100HR6)构成完整射频链路。实际应用中需严格遵循热管理(建议结温 ≤ 200°C)与阻抗匹配要求以保障线性度与长期稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF6S19100NR1

PCN过时产品

http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-270 WB-4

功率-输出

22W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

14.5dB

封装/外壳

TO-270AB

晶体管类型

LDMOS

标准包装

500

电压-测试

28V

电压-额定

68V

电流-测试

950mA

频率

1.99GHz

额定电流

10µA

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