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- 型号： MRF6S19060GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19060GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19060GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19060GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19060GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19060GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19060GNR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和微基站的末级功放，支持 1805–1990 MHz 频段，满足 3G/4G LTE 系统对高效率、高线性度和稳定输出功率（连续波下可达 60 W，脉冲/平均功率应用中典型输出 30–45 W）的要求。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频前端模块，尤其适用于需兼顾带宽、增益（典型 >17 dB）与热稳定性的场景。 - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LMR）、宽带无线接入（WiMAX）等中高频段固定或移动式发射设备。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），具备优异散热性能与高可靠性，支持 Class AB 工作模式，并兼容包络跟踪（ET）和数字预失真（DPD）等先进线性化技术，显著提升能效与信号保真度。注意：实际应用需严格遵循 NXP 推荐的匹配网络、偏置电路及 PCB 热设计规范，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19060GNR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | - |
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