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- 型号： MRF6P21190HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P21190HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P21190HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P21190HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P21190HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P21190HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P21190HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原始设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达 2.1–2.2 GHz，典型输出功率 190 W（脉冲/连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 4G/5G蜂窝基站：作为宏基站或小型基站（Small Cell）末级功率放大器（PA），支持2.1 GHz频段（如B1/B34/B39），满足TD-LTE/FDD-LTE及5G NR部署需求； - 无线基础设施设备：用于远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）及分布式天线系统（DAS）中的射频功放模块； - 广播与通信系统：适用于点对多点（PMP）无线接入、公共安全通信（如TETRA/LMR增强型系统）及军用战术电台的中高功率射频发射链路； - 工业与科研应用：如射频加热、等离子体发生器及EMC测试用宽带功率源（需配合匹配网络与散热设计）。 该器件采用气腔陶瓷封装（如NI-780H），具备优异热稳定性与高可靠性，需搭配精确阻抗匹配电路、高效散热方案（如强制风冷或液冷）及过压/过温保护电路使用。实际选型时建议以NXP官方数据手册为准，并通过正规授权渠道采购以确保一致性与技术支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P21190HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.9A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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