图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF6P18190HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P18190HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P18190HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P18190HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P18190HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P18190HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P18190HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–1.9 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1990 MHz），常用于蜂窝通信基站的末级功率放大器。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站/微基站：支持高线性度和高效率的多载波信号放大，适用于 TDD/FDD 模式下的上行/下行链路； - 无线基础设施中的功率放大模块（PA Module）：作为功放核心器件，配合驱动级、Doherty 架构或数字预失真（DPD）系统，提升整机效率与ACLR性能； - 公共安全通信系统（如 TETRA、P25）及专网基站：满足高可靠性、宽动态范围和强抗干扰需求； - ISM 频段工业设备（如射频加热、等离子体发生器）中对稳定大功率输出有要求的场景（需注意匹配与散热设计）。 该器件采用陶瓷封装（HR5 封装），具备高增益（典型16 dB @ 1.85 GHz）、高输出功率（连续波下可达 190 W，脉冲模式更高）及优异热稳定性，需配合高效散热器与阻抗匹配网络使用。不适用于消费类终端（如手机），仅面向专业级射频功率放大系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P18190HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 1.87GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6P18190HR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商