Datasheet下载- 型号： MRF5S9101MBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9101MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9101MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9101MBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S9101MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9101MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S9101MBR1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）N沟道LDMOS功率晶体管，专为900–1000 MHz频段设计，典型工作频率为945 MHz（如GSM 900、EDGE基站、无线基础设施等）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：用于宏基站（Macrocell）的末级功率放大器（PA），支持GSM、GPRS、EDGE等2G/2.5G系统，具备高增益（约18 dB）、高效率（典型漏极效率达65%）和优异线性度。 - 工业与专用无线系统：适用于ISM频段（如915 MHz）、PMR（专业移动无线电）、TETRA基站及无线中继设备中的高可靠性射频功放模块。 - 广播与宽带应用：可应用于低功率电视发射、数字音频广播（DAB）或宽带射频激励器等需稳定连续波（CW）或调制信号输出的场景。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1227A），具备良好热稳定性与高功率密度（P1dB ≈ 100 W，典型输出功率100 W），支持50 V单电源供电，适用于风冷或导热底板散热设计。其“MBR1”后缀表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。 注意：该型号已进入NXP产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估替代型号（如MRF5S9100NR1或更新一代AFM系列），但现有设备维护与备件仍广泛使用此器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S9101MBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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