Datasheet下载- 型号： MRF5S4125NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S4125NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S4125NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S4125NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S4125NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S4125NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S4125NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 1.9–2.2 GHz 频段（典型工作频段为 2110–2170 MHz），额定输出功率达 125 W（连续波，CW）或 250 W（脉冲）。其典型应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和分布式基站的末级功放模块，支持高效率、高线性度的信号放大，满足LTE Band 1/25/38等频段需求； - WCDMA 和 TD-SCDMA 系统：适用于第三代移动通信系统的基站发射链路，尤其在高平均功率、宽带调制信号（如64QAM）下保持良好ACPR性能； - 小基站（Small Cell）与中继器：在紧凑型射频单元中提供可靠功率增益与热稳定性（采用陶瓷封装，耐高温，结温可达200°C）； - 无线基础设施测试设备及实验室射频源：作为宽带激励源或功率扩展模块，支持研发与产线校准。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用，典型应用需满足严格线性化要求（常配合DPD数字预失真技术），以满足现代通信系统对频谱纯度与能效的双重标准。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S4125NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 465MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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