Datasheet下载- 型号： MRF5S21090HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21090HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21090HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21090HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21090HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21090HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21090HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS 2100 MHz）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和中继站的末级射频功放模块，支持高输出功率（典型90 W连续波，峰值可达120 W）、高增益（≥17 dB）和高效率（>60%），满足5G前向兼容及4G LTE网络对容量与覆盖的需求。 - 无线通信基础设施：适用于多载波（MC-WCDMA/LTE）系统，具备优异的线性度与ACLR性能，配合DPD（数字预失真）技术可有效抑制邻道干扰，保障信号质量。 - 广播与专用无线系统：在点对多点微波回传、公共安全通信（如TETRA增强型）及小型化分布式天线系统（DAS）中，作为高效、高可靠性射频功放核心器件。 该器件采用气腔陶瓷封装（R3），具备优良热管理能力，支持连续波及脉冲工作模式，工作结温高达200°C，适用于严苛工业环境。需配合匹配电路、稳定偏置（推荐Class AB）及散热设计使用。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21090HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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