【未分类_MRF5S21045NR1】封装/厂家_MRF5S21045NR1中文资料_价格

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型号： MRF5S21045NR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21045NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21045NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21045NR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S21045NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21045NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S21045NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型用于 PCS/UMTS/WCDMA 基站），额定输出功率达 45 W（连续波），具备高增益、高效率和优异的热稳定性。其主要应用场景包括：  
1. 蜂窝通信基站：广泛用于 3G/4G 宏基站及微基站的末级功率放大器（PA），支持 2110–2170 MHz 上行/下行频段；  
2. 无线基础设施设备：如远程射频单元（RRU）、分布式天线系统（DAS）中的射频功放模块；  
3. 工业与专用通信系统：适用于符合 ETSI/FCC 标准的宽带无线接入（如 WiMAX 回传）、公共安全通信（TETRA/LMR 辅助链路）等中功率射频发射场景；  
4. 测试与仪表应用：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC 测试激励源等。  
该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），支持高可靠性连续波及复杂调制信号（如 OFDM、W-CDMA）工作，具备良好的线性度与谐波抑制能力，配合匹配电路可满足 ACLR（邻道泄漏比）等严苛通信标准要求。注意：实际应用需严格遵循 NXP 提供的参考设计、PCB 布局指南及散热规范，以确保长期稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S21045NR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.5dB
封装/外壳	TO-270AB
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	500mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA