Datasheet下载- 型号： MRF5S19150HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19150HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19150HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19150HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19150HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19150HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19150HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 上行/下行）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macro Base Station）和中继站的末级射频功放模块，支持 1.85–1.99 GHz 频段，可单管输出高达 150 W 连续波（CW）或 75 W 平均功率（在 LTE 64-QAM 调制下），具备高增益（≥17 dB）与高效率（典型漏极效率达 65%）。 - 无线通信基础设施：适用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 基站的多载波（MC-OFDM）应用，支持高线性度工作（ACLR 优于 –45 dBc），满足严苛的频谱掩模要求。 - 工业与广播射频源：可用于医疗射频消融设备、等离子体发生器及宽带射频加热系统等需稳定大功率射频输出的工业场景（需配合匹配电路与散热设计）。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷，强调高可靠性与长期热稳定性，符合基站设备 15 年使用寿命要求。注意：实际应用需严格遵循 NXP 提供的参考电路、PCB 布局指南及热管理规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19150HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF5S19150HSR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商