Datasheet下载- 型号： MRF5S19130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19130HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19130HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于 1805–1990 MHz 频段（如 PCS、AWS、LTE Band 2/4/25），常用于宏基站和中继站的末级功放（PA），支持多载波信号与高阶调制（如 256-QAM），具备优异的线性度与ACPR性能； - 无线基础设施设备：广泛用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的射频发射链路； - 广播与工业射频源：在 UHF 频段的数字电视（DTV）发射、RF 加热、等离子体发生器等工业应用中，提供稳定可靠的连续波（CW）或脉冲输出能力； - 测试与测量设备：作为射频信号源或功率放大模块，用于通信设备产线校准、EMC 测试系统等场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1227B），具备高热导率与优异散热性能，支持高达 130 W 的输出功率（P1dB），典型漏极效率达 60%（在 1960 MHz 下），并集成ESD保护与高可靠性设计，适用于严苛的室外长期运行环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19130HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 26W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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