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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF5S19130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19130HR3 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号原产自 NXP Semiconductors，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 MOSFET，属 LDMOS 工艺，专为高功率、高效率射频放大设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：适用于 1800–2000 MHz 频段（如 GSM、UMTS、LTE FDD Band 1/3/4 等），常用于宏基站末级功率放大器（PA），支持连续波（CW）或复杂调制信号（如 OFDM、64-QAM）下输出高达 130 W（P1dB）的射频功率。 - 无线通信系统：广泛用于中继站、微基站、分布式天线系统（DAS）及小功率直放站中的宽带射频功放模块，具备高增益（典型 >17 dB）、高漏极效率（>60% @ 1960 MHz）和良好线性度（满足 ACLR 要求）。 - 工业与广播应用：可用于 RFID 读写器功率级、ISM 频段（如 1920–1980 MHz）医疗/工业加热设备，以及低功率电视/FM 辅助发射系统。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，需配合匹配网络与稳定偏置电路使用。注意：实际选型应以 NXP 官方数据手册（DS-MRF5S19130HR3）为准，并进行热仿真与稳定性验证。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19130HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 26W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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