Datasheet下载- 型号： MRF5S19090HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19090HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19090HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19090HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19090HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19090HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19090HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS MOSFET），专为900 MHz频段（典型工作频率869–960 MHz）的高功率、高效率射频放大应用设计。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于2G/3G/4G宏基站及分布式基站（DAS）的末级功放（PA），支持GSM、EDGE、UMTS、LTE等通信标准，尤其适用于900 MHz频段的发射链路。 - 无线基础设施设备：如中继器、微基站、小基站（Small Cell）和远程射频单元（RRU），在需兼顾线性度、效率与热稳定性的场景中表现优异。 - 工业与广播应用：适用于ISM频段（如915 MHz）的RF能量加热、等离子体发生器，以及低功率电视/广播发射系统。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热管理能力（结至壳热阻低）、高增益（典型>17 dB）、高输出功率（连续波下可达90 W，脉冲模式更高）及良好的VSWR耐受能力（可承受10:1负载失配），支持宽带匹配设计，便于系统集成。 注：MRF5S19090HSR5 已逐步被NXP新一代高能效LDMOS（如MRF6P系列）或GaN方案替代，但仍在大量在网基站中服役，适用于对成熟性、成本与可靠性要求高的中高功率RF发射场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19090HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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