Datasheet下载- 型号： MRF282SR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF282SR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF282SR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF282SR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF282SR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF282SR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF282SR1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要应用于射频功率放大领域。该器件典型工作频率范围覆盖DC至500MHz，适合在工业、科学和医疗（ISM）频段中使用。其主要应用场景包括高功率射频放大器系统，如射频加热设备、等离子发生器、感应加热、射频激励源以及工业射频能量应用。 此外，MRF282SR1也广泛用于模拟和数字广播发射机，如AM/FM广播和电视发射系统，提供高效、稳定的射频输出。由于具备良好的热稳定性和高增益特性，该器件可在高电压、高功率环境下可靠运行，适用于需要连续波（CW）或高脉冲功率输出的场合。 在通信基础设施中，MRF282SR1可用于陆地移动无线电（LMR）基站及公共安全通信系统中的射频功率放大级，支持高效率和线性度要求。其坚固的封装设计（陶瓷金属封装）确保了优异的散热性能和长期可靠性，适合严苛工业环境。 总之，MRF282SR1凭借其高功率处理能力、优良的射频性能和稳定性，广泛应用于工业射频能量、广播发射和专业通信系统的射频功率放大环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF282SR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-200S |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-200S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 75mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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