【未分类_MRF21010LR1】封装/厂家_MRF21010LR1中文资料_价格

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型号： MRF21010LR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21010LR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21010LR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF21010LR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF21010LR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21010LR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF21010LR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900–1200 MHz 频段设计，典型工作频率覆盖 GSM、EDGE、WCDMA 和 LTE 基站的上行/下行频段（如 925–960 MHz、1805–1880 MHz 等）。其主要应用场景包括：

- 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：尤其适用于宏基站和微基站中的末级射频功放模块，支持高线性度与高效率（典型漏极效率达60%以上），满足严苛的ACLR和EVM指标要求；  
- 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的宽带射频放大链路；  
- 工业与广播应用：适用于ISM频段（如915 MHz）的射频加热、等离子体发生器及FM广播辅助发射等中功率连续波（CW）或调制信号放大场景；  
- 测试与测量设备：作为信号源后级驱动或功率校准模块，提供稳定、可重复的射频输出能力。

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1223），具备优异的热稳定性与可靠性，支持10 W连续波（CW）输出（典型值），峰值功率能力更高。配合NXP推荐的匹配网络与偏置电路，可实现宽温度范围（−40°C 至 +150°C）下的稳健运行，广泛应用于对性能、寿命与一致性要求严苛的通信基础设施领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF21010LR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-360
功率-输出	11W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13.5dB
封装/外壳	NI-360
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	100mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA