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型号： MRF19085LR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19085LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19085LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF19085LR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF19085LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19085LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF19085LR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE、WCDMA、WiMAX 及 5G Sub-6 GHz 基站频段），输出功率可达 85 W（连续波，CW），峰值功率更高，具备优异的增益（约 17–18 dB）和功率附加效率（PAE ≥ 65%）。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G 宏基站与小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），尤其适用于 2.1 GHz 频段的多载波（MC-OFDM）信号放大；  
✅ 无线基础设施设备，如远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）中的高线性度功放模块；  
✅ 广播与工业射频加热系统中需稳定大功率输出的场合（如医疗射频消融辅助电路、等离子体发生器驱动）；  
✅ 测试测量仪器中的宽带射频信号源或功率放大模块，得益于其良好的宽带匹配特性与热稳定性。

该器件采用陶瓷封装（LR5 封装），集成源极接地引脚与优化的热设计，支持风冷/传导冷却，具备高可靠性（符合 Telcordia GR-468 标准）及出色的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1 不损坏）。广泛应用于通信设备制造商（如华为、爱立信、诺基亚供应链）及射频子系统方案商。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF19085LR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	18W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	850mA
频率	1.93GHz
额定电流	10µA