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- 型号： MRF18060ALR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF18060ALR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF18060ALR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF18060ALR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF18060ALR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF18060ALR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF18060ALR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz），采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备高增益、高效率和优异热稳定性。其主要应用场景包括： • 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级功放（PA）模块，尤其适用于宏基站和微基站中的多载波（MC-OFDMA）应用，支持高线性度与ACLR要求。 • 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）、有源天线单元（AAU）等，满足高可靠性、宽动态范围及长期连续运行需求。 • 工业/专用通信系统：适用于公共安全通信（如TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX遗留系统）及点对点微波回传链路中的中功率射频发射级。 该器件支持70 V高漏极电压，典型输出功率达60 W（连续波），PAE > 65%，并内置ESD保护，适合高密度PCB布局与风冷/传导散热设计。需配合匹配网络与偏置电路使用，常搭配NXP推荐的驱动级芯片（如MMRF1022）构建完整射频链路。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF18060ALR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 6µA |
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