Datasheet下载- 型号： MR4A08BMA35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BMA35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BMA35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BMA35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR4A08BMA35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BMA35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MR4A08BMA35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 8Mb（1Mb × 8）工业级自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用35ns访问速度、SOIC-32封装，工作温度范围为−40°C 至 +125°C，支持宽电压（3.0V–3.6V），具备非易失性、无限读写寿命、抗辐射及高可靠性等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC系统：作为程序/参数存储器，在断电瞬间无需备份电容或电池即可即时保存关键状态数据，提升系统鲁棒性； ✅ 汽车电子：用于ADAS控制器、车载网关或域控制器中存储实时校准参数、故障日志或安全配置，满足AEC-Q100 Grade 1可靠性要求； ✅ 航空航天与国防设备：在高振动、宽温、强电磁干扰环境下替代SRAM+EEPROM组合，实现单芯片非易失缓存，简化BOM并提升抗辐照能力； ✅ 医疗设备：如便携式监护仪、植入式器械（外围控制模块），保障患者数据和运行配置在意外断电时零丢失； ✅ 高端服务器/网络设备：用作高速、持久化元数据缓存（如RAID控制器日志、NVMe SSD元数据表），兼顾性能与数据一致性。 该器件不适用于大容量数据存储（如文件系统），而是聚焦于关键小数据的高速、高可靠、非易失读写场景，是传统SRAM、EEPROM或NOR Flash在严苛环境下的升级替代方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 48BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR4A08BMA35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（10x10） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16M（2M x 8） |
| 封装/外壳 | 48-LFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 36 V |
| 速度 | 35ns |
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