Datasheet下载- 型号： MR2A16AVYS35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR2A16AVYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR2A16AVYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR2A16AVYS35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR2A16AVYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR2A16AVYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的MR2A16AVYS35是一款16兆位（2MB）串行四通道SPI接口的MRAM（磁阻随机存取存储器），属于非易失性存储器。其典型应用场景包括工业自动化、嵌入式系统、网络通信设备和高可靠性数据存储领域。 该型号具备高速读写、无限次读写耐久性和断电后数据长期保存的特点，适用于需要频繁写入且对数据完整性要求高的场合。例如，在工业PLC（可编程逻辑控制器）中用于实时记录运行参数和事件日志；在通信基站或路由器中作为配置存储器，确保系统重启后配置不丢失；还可用于医疗设备、航空航天及轨道交通等对稳定性和可靠性要求严苛的环境。 此外，MR2A16AVYS35支持宽温工作范围和抗辐射特性，适合极端温度或强电磁干扰环境下的应用。由于无需备用电池即可实现非易失存储，相比传统SRAM+电池方案更环保、维护成本更低，广泛应用于智能电表、边缘计算设备和物联网网关等场景。 综上，MR2A16AVYS35凭借其高性能与高可靠性，是替代传统易失性存储器的理想选择，特别适用于关键任务系统中的数据保护与快速存储需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOPNVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Everspin Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Everspin Technologies MR2A16AVYS35- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MR2A16AVYS35 |
| PCN组件/产地 | |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 其它名称 | 819-1012 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Everspin Technologies |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 工作电流 | 105 mA |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 系列 | MR2A16A |
| 组织 | 256 k x 16 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |
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