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- 型号： MR256A08BMA35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR256A08BMA35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR256A08BMA35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR256A08BMA35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR256A08BMA35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR256A08BMA35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR256A08BMA35R 是一款256Kb（32KB）串行SPI接口的MRAM（磁阻随机存取存储器），采用35ns访问速度、工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和SOIC-8封装。其核心优势在于非易失性、高速读写、无限擦写次数（>10¹⁵次）、抗辐射及宽温稳定性。 典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC：在断电瞬间实时保存运行参数、I/O状态或故障日志，无需备用电池或电容，提升系统可靠性； ✅ 汽车电子：用于ADAS控制器、车身控制模块（BCM）中存储校准数据、里程/诊断信息（DTC），满足AEC-Q100 Grade 2要求（该型号为工业级，部分客户经验证可用于车规环境）； ✅ 网络与通信设备：路由器、交换机中的配置寄存器、MAC地址表或FPGA配置缓存，实现毫秒级上电即用； ✅ 医疗设备：便携式监护仪、输液泵等需高可靠性数据记录的场景，避免闪存磨损导致的数据丢失风险； ✅ 航空航天与工控边缘节点：在强振动、宽温、高辐射环境中替代EEPROM/Flash，保障关键状态数据持久化。 该器件不适用于大容量主存储（如程序代码存储），而是作为高性能、高可靠性的“类RAM+类ROM”混合型关键数据暂存/日志存储介质，尤其适合对写入延迟、寿命和数据保持有严苛要求的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 256KBIT 35NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR256A08BMA35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（8x8） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 48-LFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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