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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MR0A16AMYS35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A16AMYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A16AMYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A16AMYS35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A16AMYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A16AMYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR0A16AMYS35 是一款 16Mb（2MB）的串行接口（SPI）自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用48引脚TSOP封装，工作电压为3.3V，读写速度达35ns（即35MHz SPI时钟下高效访问），具备无限次读写寿命、非易失性、抗辐射、宽温工作（-40°C 至 +105°C）及断电即时保存数据等特性。 其典型应用场景包括：工业自动化控制器中的程序/参数存储与实时日志记录；轨道交通与航空电子设备中需高可靠性数据缓存和飞行/运行数据记录（如黑匣子关键状态快照）；医疗设备（如影像设备、植入式监测模块）中对数据完整性与安全性要求严苛的配置存储与事件日志；能源领域智能电表与电网终端的掉电不丢失计量数据与固件更新暂存；以及作为FPGA或ASIC的高速启动代码（Boot Code）存储器，替代传统EEPROM或NOR Flash，实现毫秒级上电即运行。 该器件特别适用于对写入耐久性、数据保持时间（常温下>20年）、温度稳定性及系统可靠性有严苛要求的嵌入式场景，是传统非易失存储器在恶劣环境或关键任务系统中的高性能升级选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR0A16AMYS35 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （64K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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