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产品简介:
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Everspin Technologies 的 MR0A16AMA35R 是一款 4Mb(512K × 8)的工业级自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM),采用32引脚SOIC封装,工作温度范围为–40°C 至 +125°C,支持35ns高速异步读写,具备非易失性、无限擦写寿命、抗辐射及高可靠性。 其典型应用场景包括: ✅ 工业自动化与PLC:在断电瞬间实时保存关键运行参数、I/O状态或配方数据,无需备用电池或电容,避免传统EEPROM/NVRAM的写入延迟与寿命限制; ✅ 汽车电子:用于ADAS控制器、车载网关或域控制器中存储校准数据、故障码(DTC)、黑匣子日志等,满足AEC-Q100 Grade 1可靠性要求; ✅ 航空航天与国防:在高辐射、宽温、强振动环境中替代SRAM+备份电池方案,用于飞行控制、雷达信号缓存等对数据完整性与启动速度要求极高的场景; ✅ 医疗设备:保障植入式或便携式监护仪在突发断电时无缝保存患者生命体征数据,符合功能安全(IEC 62304)与数据持久性要求; ✅ 边缘计算与5G基站:作为低延迟、高耐久的配置寄存器/元数据缓存,加速系统冷启动与固件更新回滚。 该器件不适用于大容量数据存储(如文件系统),而是聚焦于关键元数据、状态变量和实时日志的即时、可靠、非易失性暂存,是高可靠性嵌入式系统中SRAM+EEPROM/NVRAM组合的理想单芯片替代方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR0A16AMA35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA(8x8) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 封装/外壳 | 48-LFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |