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- 型号： MPLAD30KP18AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP18AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP18AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP18AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP18AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP18AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP18AE3 是一款由Littelfuse（力特）生产的TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列大功率表面贴装型TVS，额定峰值脉冲功率达30kW（10/1000μs波形），击穿电压典型值为18V（VBR = 17.1–18.9V），钳位电压VC ≤ 29.2V（在IPP=1028A时）。 其主要应用场景包括： - 工业电源与变频器输入端：用于吸收雷击感应浪涌、开关操作引起的高压尖峰，保护后级整流桥、控制IC及驱动电路； - 通信基站电源系统：防护AC/DC电源模块因电网波动或雷电耦合导致的瞬态过压； - 轨道交通牵引/辅助电源：应对机车运行中产生的强电磁干扰和能量回馈冲击； - 新能源领域：如光伏逆变器直流侧输入端，抑制组件串并联时可能产生的反向电压尖峰与ESD； - 高可靠性嵌入式设备供电接口：如PLC、HMI、伺服驱动器的24V DC电源入口，提供IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2Ω）等级的浪涌防护。 该器件采用DO-218AB封装，具备低钳位比、高浪涌耐受能力及优异的热稳定性，适用于需承受重复性大电流冲击且空间受限的严苛环境。注意：须配合合理PCB布局（短而宽的走线、就近接地）及前端限流措施（如保险丝、PTC），以发挥最佳保护效能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP18AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7385 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 20V |
| 电压-反向关态（典型值） | 18V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 30.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 975A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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