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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD15KP8.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP8.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP8.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP8.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP8.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP8.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP8.0AE3 是一款由Littelfuse（力特）生产的TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于大功率表面贴装型（SMD）单向TVS，额定峰值脉冲功率为15kW，击穿电压典型值约8.0V（VRWM=6.4V，VBR≈7.2–8.8V），适用于严苛的浪涌防护场景。 其主要应用场景包括： - 工业自动化设备：用于PLC、HMI、I/O模块等接口电路（如RS-485、CAN总线）的静电（ESD）和雷击感应浪涌防护； - 电源输入端口保护：在DC/DC转换器、开关电源前端，防止因电源线耦合或开关噪声引起的瞬态过压损坏后级IC； - 通信与网络设备：保护以太网PHY、PoE供电接口及基站射频单元中的低压敏感电路； - 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准（该型号有车规版本），可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中12V电源轨的负载突降（Load Dump）和反向电池保护辅助方案（需配合其他器件）； - 医疗与仪器仪表：保障高精度传感器、ADC前端及低功耗MCU供电路径免受ESD（±30kV空气放电）及EFT（电快速瞬变）干扰。 该器件采用DO-214AB（SMC）封装，具备低钳位电压（VC≈12.9V@1000A）、快速响应（<1ps）和高可靠性，特别适合空间受限但需强抗浪涌能力的应用。使用时需注意PCB布局（短而宽的走线、就近接地）及与被保护IC的匹配设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 8VWM 13.6VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP8.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7317 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.89V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1101A （1.101kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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