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- 型号： MPLAD15KP7.5AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP7.5AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP7.5AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP7.5AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP7.5AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP7.5AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP7.5AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于MPLAD系列，专为极端浪涌防护设计。其核心参数包括：反向关断电压VWM = 6.4 V、击穿电压VBR ≈ 7.5 V（典型）、峰值脉冲功率PPPM高达15 kW（10/1000 μs波形），并具备低钳位电压（约12.9 V @ 1000 A），响应时间小于1 ns。 该器件主要应用于需承受高强度雷击或开关浪涌的工业与基础设施场景，例如： - 通信基站电源输入端口（如-48 V DC供电系统）的二级过压保护； - 工业自动化设备中PLC、变频器、电机驱动器的直流母线或I/O接口防雷保护； - 轨道交通信号系统、智能电表、太阳能逆变器等户外或严苛电磁环境下的电源入口级防护； - 军工/航空电子设备中对高可靠性、宽温域（-65°C ~ +150°C）及抗辐射性能有要求的浪涌抑制环节。 其AEC-Q200兼容封装（DO-218AB）和高鲁棒性设计，使其特别适用于需兼顾大通流能力与紧凑布局的板级防护方案，常与气体放电管（GDT）或压敏电阻（MOV）构成多级协同防护电路，提升系统整体EMC等级与长期运行可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP7.5AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7301 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.33V |
| 电压-反向关态（典型值） | 7.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 12.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1164A （1.164kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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