Datasheet下载- 型号： MPLAD15KP18AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP18AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP18AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP18AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP18AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP18AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP18AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于MPLAD系列，额定峰值脉冲功率达15kW，击穿电压典型值为18V（VBR ≈ 18V），钳位电压约29.2V（IPP=514A时），适用于严苛的浪涌防护场景。 其典型应用场景包括： - 工业控制系统：保护PLC、I/O模块、传感器接口等免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击； - 通信设备电源端口：如基站电源输入、以太网供电（PoE）前端、RS-485/RS-232接口的二次防护； - 交通运输电子系统：车载信息娱乐（IVI）、轨道信号设备中应对负载突降（Load Dump）及ISO 7637-2/IEC 61000-4-5标准规定的浪涌测试； - 可再生能源系统：太阳能逆变器直流侧输入端，抵御雷电耦合引起的高压瞬变； - 医疗与军工设备：对可靠性要求极高的电源入口或信号线入口，提供快速（响应时间<1ns）、低钳位的过压箝位保护。 该器件采用DO-218AB封装，具备优异的散热性与高可靠性，特别适合需承受多次大能量（如10/1000μs波形）冲击的应用。注意：需配合前端保险丝或PTC协同使用，并合理布局PCB以降低寄生电感，确保防护有效性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM 29.2VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP18AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7221 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 20V |
| 电压-反向关态（典型值） | 18V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 29.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 516A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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