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- 型号： MP6M14TCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MP6M14TCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MP6M14TCR价格参考。ROHM SemiconductorMP6M14TCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MP6M14TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MP6M14TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MP6M14TCR 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沟道双通道 MOSFET 阵列（含两个独立的逻辑电平 N-MOS），采用小型 TSOP-6 封装。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用其低导通电阻（Rds(on) ≈ 30 mΩ @ Vgs=4.5V）、低阈值电压（Vth ≈ 1.0–2.0V）和小尺寸，实现高效、紧凑的多路供电切换。 • LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 或 OLED 显示模块中，作为双路 LED 电流开关，支持独立调光或分时驱动，兼顾响应速度与热性能。 • H桥/半桥预驱电路：常用于微型电机驱动（如振动马达、镜头对焦机构）中，配合外部驱动IC构成双路低侧开关，简化PCB布局并降低系统成本。 • 电池保护与充放电管理：在单节锂电应用中，可协同保护IC实现充/放电回路的双重切断（如双MOS串联结构），提升安全冗余度。 • I/O 扩展与逻辑电平转换：适用于 MCU GPIO 资源受限场景，用作双向信号缓冲或低功耗唤醒开关（如传感器使能控制）。 该器件具备 ESD 保护（HBM ±2000V）、无铅环保封装及 AEC-Q200 可靠性认证（部分批次），亦适用于车载信息娱乐周边等工业级环境。需注意其最大漏极电流为 ±3.5A（连续），设计时应结合散热条件合理降额使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH+P-CH 4V DUAL MPT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MP6M14TCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | MP6M14TCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A，6A |
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