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- 型号： MMVL109T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMVL109T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMVL109T1G价格参考。ON SemiconductorMMVL109T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMVL109T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMVL109T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMVL109T1G 是安森美（onsemi）出品的硅超突变结可变电容二极管（Varactor Diode），常用于高频调谐与频率控制电路。其典型应用场景包括： - 电压控制振荡器（VCO）：作为调谐元件，通过施加反向偏压改变结电容（约2.5–25 pF，0.5–28 V范围内），实现射频信号频率的精确、快速调节，广泛应用于无线通信收发模块（如蓝牙、Wi-Fi 2.4 GHz频段）、锁相环（PLL）系统。 - 电子调谐滤波器与匹配网络：在天线调谐、前端接收滤波或阻抗匹配电路中，配合射频开关或控制器动态补偿频段偏移或环境变化（如手持设备握持效应），提升接收灵敏度与发射效率。 - FM调制/解调电路：利用电容随电压非线性变化特性，实现模拟频率调制或辅助鉴频功能（多见于传统通信或测试设备）。 该器件具有低串联电阻（Rs ≈ 1.5 Ω）、高Q值（>100 @ 100 MHz）、良好温度稳定性及SOD-323小型封装，适合空间受限的便携式射频设计。注意需工作在反向偏置状态，避免正向导通；典型偏压范围为1–25 V，需配合低噪声偏置电路以抑制调谐噪声。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING 30V SOD-323 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMVL109T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 200 @ 3V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 32pF @ 3V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 6.5 |
| 电容比条件 | C3/C25 |
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