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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5227B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5227B-7-F价格参考¥0.10-¥0.10。Diodes Inc.MMSZ5227B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5227B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5227B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5227B-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - MMSZ5227B-7-F 的齐纳电压为 3.3V(典型值),适用于低电压稳压电路。它能够将输入电压稳定在特定的输出电压范围内,确保后级电路的正常工作。 - 应用场景:电源稳压模块、基准电压源。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以用于防止电路中出现过高电压,从而保护敏感器件。 - 应用场景:传感器接口保护、通信线路中的过压防护。 3. 信号箝位 - 在信号处理电路中,MMSZ5227B-7-F 可以用来箝位信号电平,确保信号幅度在允许范围内。 - 应用场景:音频信号处理、模拟信号传输线路。 4. 基准电压源 - 其稳定的齐纳电压特性使其适合作为基准电压源,为其他电路提供参考电压。 - 应用场景:比较器电路、模数转换器(ADC)校准。 5. 电源监控 - 在电源监控电路中,MMSZ5227B-7-F 可用于检测电源电压是否低于或高于设定值,并触发报警或保护机制。 - 应用场景:电池管理系统、电源故障检测。 6. ESD 和浪涌保护 - 虽然 MMSZ5227B-7-F 的功率较小,但它可以在某些低功率场合提供静电放电(ESD)和瞬态浪涌保护。 - 应用场景:USB 接口保护、I/O 端口保护。 特性总结 - 齐纳电压:3.3V(±5% 精度) - 最大功耗:500mW - 封装形式:DO-214AC(SMA) - 工作温度范围:-65°C 至 +200°C MMSZ5227B-7-F 以其高精度、小型化和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123稳压二极管 3.6V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMSZ5227B-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5227B-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 15µA @ 1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5227B-FDICT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 15 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 24 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ5227B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 24 欧姆 |
齐纳电压 | 3.6 V |
齐纳电流 | 20 mA |