Datasheet下载- 型号： MMSZ2V4T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ2V4T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ2V4T3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ2V4T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ2V4T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ2V4T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ2V4T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为2.4 V（容差通常±5%），功率为500 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压基准源：为ADC、传感器接口或低功耗MCU提供稳定2.4 V参考电压，尤其适用于3.3 V或更低供电系统中需精确分压或偏置的场合。 2. 过压保护与箝位：在I/O端口、通信线路（如I²C、UART）或模拟信号输入前端，将瞬态电压箝位至2.4 V附近，防止后级电路（如GPIO、运放输入）因ESD或浪涌受损。 3. 电源轨稳压/旁路：在微功耗设备（如物联网传感器节点、可穿戴设备）中，为实时时钟（RTC）、低功耗比较器等模块提供局部稳压，替代低压差稳压器（LDO）以简化设计、降低成本和PCB面积。 4. 电池电压监测：配合电阻分压网络，用于检测锂亚硫酰氯（Li-SOCl₂）等低电压电池（标称2.8–3.6 V）的剩余电量，2.4 V阈值可设为欠压告警点。 5. 温度补偿电路辅助元件：虽自身温漂较大（约−1.7 mV/°C），但在特定补偿设计中可与其他元件协同使用。 该器件具备优良的长期稳定性、低漏电流（典型值<100 nA @ 1 V）及AEC-Q200认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的传感器供电）。注意：不可用于大电流稳压，应严格限流（推荐工作电流1–10 mA）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ2V4T3G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 欧姆 |
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