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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSF1310R2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSF1310R2价格参考。ON SemiconductorMMSF1310R2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSF1310R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSF1310R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MMSF1310R2 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 1.3 Ω @ Vgs = –4.5 V)、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为 –20 V,连续漏极电流为 –380 mA(Tamb=25°C),适用于低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括: ✅ 电源管理:作为负载开关(Load Switch)用于 USB 接口、电池供电设备的电源通断控制,实现低功耗待机与防反接保护; ✅ 电池保护电路:在单节锂离子/聚合物电池(如可穿戴设备、TWS 耳机)中,配合保护 IC 实现过放/短路保护中的充放电路径控制; ✅ LED 驱动与背光控制:用于小型 LED 灯组或段式 LCD 背光的调光开关,支持 PWM 控制; ✅ 逻辑电平转换与信号切换:在 1.8 V / 3.3 V 系统中实现低电压信号的双向/单向开关隔离; ✅ 消费类电子:智能手环、无线充电接收端、小型传感器模块等对尺寸、功耗和成本敏感的终端设备中的电源轨切换。 该器件无需散热片,SOT-23 封装便于自动化贴装,适合高密度 PCB 设计。需注意其雪崩耐量有限,不建议用于强感性负载或高能量开关场景。应用时应确保栅极驱动电压满足 –4.5 V 至 –12 V 范围,并合理设计栅极电阻以抑制振铃。