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- 型号： MMFZ5V6T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ5V6T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ5V6T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ5V6T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ5V6T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ5V6T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ5V6T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为5.6V（容差通常±5%），功率额定值为200mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定的5.6V基准电压，尤其适用于电池供电设备（如便携式仪表、IoT节点）的局部稳压。 2. 过压保护（钳位）：并联于敏感信号线或电源输入端（如USB接口、MCU复位引脚），当瞬态电压超过5.6V时迅速导通，将电压钳位于安全范围，抑制ESD或浪涌冲击（配合TVS或限流电阻使用效果更佳）。 3. 逻辑电平转换/箝位：在数字电路中限制信号摆幅（如将3.3V系统与5V信号接口间进行电平限幅），防止高电平超标损坏器件。 4. 反馈电路补偿：用于开关电源或LDO的反馈分压网络中，提升稳压精度与温度稳定性（需注意其动态阻抗和温度系数特性）。 该器件具有低泄漏电流（IR < 1μA @ VR）、快速响应及良好热稳定性，适合空间受限、成本敏感且对可靠性要求较高的消费电子、工业控制及汽车电子（符合AEC-Q200）等场景。实际应用中需注意散热设计及串联限流电阻选型，避免超功耗运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ5V6T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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