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- 型号： MMFZ3V6T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ3V6T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ3V6T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ3V6T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ3V6T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ3V6T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ3V6T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.6 V（典型），容差±5%，额定功率为200 mW（在70°C下），采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压稳压与基准源：为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定3.6 V参考电压，适用于对精度和功耗要求适中的场合。 2. ESD保护与过压钳位：集成于I/O接口或电源输入端，利用其快速响应特性（反向击穿特性）吸收瞬态浪涌（如人体静电放电HBM达±15 kV），保护后级低压IC（如3.3 V逻辑器件）。 3. 电源轨箝位与电压限制：在LDO输出端或电池供电系统中，防止电压异常升高（如充电器过压、负载突卸），确保下游电路安全。 4. 信号电平限幅：用于通信线路（如UART、I²C）中限制信号摆幅，防止超限电压损坏接收端。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ -1.5 mV/°C）及AEC-Q200认证（部分批次），亦适用于汽车电子中非安全关键的辅助电路（如车身控制模块的电源监控）。注意：不适用于高精度基准或大电流稳压场景，需配合限流电阻使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ3V6T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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