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- 型号： MMFZ33T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ33T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ33T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ33T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ33T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ33T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ33T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为33 V（容差±5%），额定功率为400 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感电路前端，与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态浪涌电压（如ESD、EFT或开关噪声），防止后级IC（如MCU、传感器、通信接口）受损。 2. 电压基准与参考：在低精度、低成本要求的模拟电路中（如简易稳压器、电池电压监测、ADC参考分压网络），提供稳定的33 V基准点，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的场合。 3. 电源箝位与反馈控制：在DC-DC转换器或线性稳压器的反馈环路中，辅助设定输出电压上限；或用于反激式电源的RCD吸收电路中，限制MOSFET漏极尖峰电压。 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200认证（该型号符合汽车级可靠性标准），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等需耐高温（-65°C ~ +150°C）、抗振动的环境。 注意：因齐纳阻抗较高且温度系数较大（约+4.5 mV/°C），不适用于高精度、低噪声或大电流稳压场景；设计时需确保工作电流在5–100 mA范围内以维持稳定击穿特性，并预留足够功耗裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ33T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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