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- 型号： MMFZ18T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ18T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ18T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ18T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ18T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ18T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ18T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为18 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为200 mW，采用SOD-523（SC-79）超小型封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定18 V基准电压，适用于便携式设备、可穿戴设备等空间受限场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如电源管理芯片、接口电路）免受瞬态高压冲击（如ESD、感应浪涌），尤其适用于USB接口、电池供电系统等。 3. 箝位与限幅电路：在信号调理电路中将模拟信号峰值箝位于18 V，防止输入超出ADC或运放的绝对最大额定值。 4. 反馈环路稳压：在DC-DC转换器（如反激式辅助绕组反馈）中作为低成本稳压元件，辅助实现输出电压精度调节。 该器件具备低泄漏电流（IZK典型值<1 µA）、快速响应及良好温度稳定性（TC约±0.07%/°C），且符合AEC-Q200标准（部分批次），亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的电源监控）。其微型封装支持高密度PCB布局，但需注意散热设计以避免长期满负荷工作导致参数漂移。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ18T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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