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- 型号： MMFZ12T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ12T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ12T3G价格参考。ON SemiconductorMMFZ12T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ12T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ12T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ12T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为12 V（容差±5%），功率额定值为200 mW，采用SOD-323超小型封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定12 V基准电压；适用于输入电压波动较小的局部稳压场合（如电池供电设备中的分压稳压）。 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，钳位敏感电路节点（如MCU引脚、通信接口TX/RX线）电压，防止瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损坏后级器件。 3. 信号电平箝位：在模拟/数字信号调理电路中，将交流信号峰值限制在12 V以内，避免运放饱和或逻辑器件误触发。 4. 电源轨监控与反馈：用于开关电源次级侧简易稳压反馈或电源OK检测电路，辅助实现基本电压监测功能。 需注意：该器件属低压小功率齐纳管，不适用于大电流稳压或主电源调节；实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保工作电流在安全范围内（典型测试电流为1 mA），并考虑温度系数（约−1.5 mV/°C）对精度的影响。其SOD-323封装适合高密度PCB布局，广泛用于消费电子、工业控制模块及汽车电子中的辅助电路保护与基准设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ12T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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