Datasheet下载- 型号： MMDF3N02HDR2
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF3N02HDR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF3N02HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF3N02HDR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF3N02HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF3N02HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF3N02HDR2 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = 10 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及小尺寸优势。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动，得益于其低功耗与微型封装； 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压拓扑中提升效率（尤其在3–5 V输入系统中）； 3. 高密度PCB板级开关应用：如USB端口过流保护、传感器模块供电控制、MCU GPIO驱动的中小功率负载（≤500 mA）； 4. 工业与消费类嵌入式系统：用于电机驱动（小型直流有刷电机）、继电器替代、LED调光及信号电平切换等低压（VDS = 20 V）、中低电流场景。 需注意：该器件最大漏源电压为20 V，连续漏极电流仅0.9 A（TA=25°C），不适用于高压或大功率场合；设计时应确保栅极驱动电压≥4.5 V以充分导通，并注意SOT-23封装的散热限制，必要时加铺铜散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF3N02HDR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
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